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    三星電子將開(kāi)發(fā)首款基于第三代10nm級(jí)工藝DRAM內(nèi)存
  • 三星電子將開(kāi)發(fā)首款基于第三代10nm級(jí)工藝DRAM內(nèi)存
  •   發(fā)布日期: 2019-03-25  瀏覽次數(shù): 940

    三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。

    第三代10nm級(jí)工藝即1z nm(在內(nèi)存制造中,用x/y/z指代際,工藝區(qū)間是10~20nm),整合了EUV極紫外光刻技術(shù),單芯片容量8Gb(1GB)

     

    三星表示,1z nm是業(yè)內(nèi)目前最頂尖的工藝,生產(chǎn)效率較1y nm提升了20%,可以更好地滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。

    量產(chǎn)時(shí)間敲定在今年下半年,成品的8GB DDR4模組也在驗(yàn)證中,目標(biāo)領(lǐng)域是下一代企業(yè)級(jí)服務(wù)器和2020年的高端PC產(chǎn)品。

    三星還表示,將在平澤市(Pyeongtaek)提高DRAM芯片的產(chǎn)能,同時(shí)上述先進(jìn)技術(shù)還將應(yīng)用于未來(lái)的DDR5、LPDDR5、GDDR6產(chǎn)品上。

    不過(guò),就在昨天(3月20日),三星電子聯(lián)席CEO金基南(Kim Ki-nam)還指出,由于智能機(jī)市場(chǎng)增長(zhǎng)乏力,數(shù)據(jù)中心公司削減投資,公司的存儲(chǔ)芯片等零部件業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)將面臨艱難一年。


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