負(fù)端同步整流芯片U7710&U7711需求空間大

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U7710&U7711

現(xiàn)在的芯片市場(chǎng)供應(yīng)較之去年有所好轉(zhuǎn)，但有些品類(lèi)的芯片供應(yīng)仍然偏緊，特別是對(duì)于有特別要求且成本收緊的項(xiàng)目，依然有很大的需求空間。深圳銀聯(lián)寶科技的負(fù)端同步整流芯片U7710&U7711是一款用于替代 Flyback 副邊肖特基二極管的高性能同步整流開(kāi)關(guān)，內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET?以提升系統(tǒng)效率。

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負(fù)端同步整流芯片U7710&U7711支持“共地”同步整流配置，也支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式 （DCM） 和準(zhǔn)諧振工作模式 （QR）。芯片輸出直接給VDD供電，無(wú)需輔助繞阻，省略了VDD電容，系統(tǒng)成本降低。芯片內(nèi)置智能開(kāi)通檢測(cè)邏輯防止同步整流誤導(dǎo)通。

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系統(tǒng)開(kāi)機(jī)以后，負(fù)端同步整流芯片U7710&U7711內(nèi)部高壓LDO從Drain管腳抽取電流向 VDD 電容供電。當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護(hù)閾值后（3.2V 典型值），芯片進(jìn)入睡眠模式，同時(shí)內(nèi)部同步整流MOSFET進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，副邊繞組電流經(jīng)內(nèi)部同步整流MOSFET的體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD電壓高于VDD開(kāi)啟電壓后（3.4V 典型值），芯片開(kāi)始工作。芯片內(nèi)部同步整流MOSFET只在副邊續(xù)流期間才能開(kāi)通。

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變壓器副邊續(xù)流階段開(kāi)始時(shí)，同步整流MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，副邊電流經(jīng)MOSFET體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流，同時(shí)在體二極管兩端形成一負(fù)向Vds電壓（《-500mV）。該負(fù)向 Vds 電壓遠(yuǎn)小于 U771X 內(nèi)部MOSFET開(kāi)啟檢測(cè)閾值，（典型值-200mV）， 故經(jīng)過(guò)開(kāi)通延遲（典型值 20nS）后內(nèi)部MOSFET開(kāi)通。在同步整流MOSFET導(dǎo)通期間， 負(fù)端同步整流芯片U7710&U7711采樣MOSFET漏-源兩端電壓（Vds）。當(dāng)Vds電壓高于MOSFET關(guān)斷閾值（典型值-6mV），內(nèi)部 MOSFET 將在關(guān)斷延遲（Td_off，約20ns）后被關(guān)斷。

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在內(nèi)部同步整流MOSFET開(kāi)通瞬間，芯片漏源（Drain-Source） 之間會(huì)產(chǎn)生電壓尖峰。為避免此類(lèi)電壓尖峰干擾系統(tǒng)正常工作導(dǎo)致芯片誤動(dòng)作，負(fù)端同步整流芯片U7710&U7711內(nèi)部集成有前沿消隱電路?（LEB）。在LEB時(shí)間（約 1.12us）內(nèi)，關(guān)斷比較器被屏蔽，無(wú)法關(guān)斷內(nèi)部同步整流MOSFET，直至消隱時(shí)間結(jié)束。

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U7710&U7711

負(fù)端同步整流芯片U7710&U7711典型應(yīng)用于反激變換器、充電器中，可做5v2A、5v2.4A，SOP-8封裝，量大更優(yōu)！