據(jù)日經(jīng)新聞報道，日本將與美國合作，最早在 2025 財年啟動本土2nm半導體制造基地，加入下一代芯片技術(shù)商業(yè)化的競賽。據(jù)悉，日本和美國將根據(jù)雙邊芯片技術(shù)伙伴關(guān)系提供支持。兩國私營企業(yè)將進行設計和量產(chǎn)研究。

6月15日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報道，日本將與美國合作，最早在 2025 財年啟動本土2nm半導體制造基地，加入下一代芯片技術(shù)商業(yè)化的競賽。據(jù)悉，日本和美國將根據(jù)雙邊芯片技術(shù)伙伴關(guān)系提供支持。兩國私營企業(yè)將進行設計和量產(chǎn)研究。

目前，臺積電在開發(fā) 2nm芯片的量產(chǎn)技術(shù)方面處于領(lǐng)先地位，該公司預計今年將在 2 納米制造設施上破土動工，并有望在今年晚些時候開始大規(guī)模制造 3nm芯片。不過美國英特爾公司也在加速追趕，并計劃于2024年搶先臺積電量產(chǎn)Intel?20A工藝（2nm工藝）。此外，美國的IBM在去年也率先推出了2nm的樣片。日本希望通過與美國合作，實現(xiàn)下一代尖端芯片的本土生產(chǎn)來尋求穩(wěn)定的半導體供應。

根據(jù)計劃，日本和美國企業(yè)聯(lián)合成立一家新公司，或者日本公司可以建立一個新的制造中心，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省將部分補貼研發(fā)成本和資本支出。聯(lián)合研究最早將于今年夏天開始，2025財年至2027財年將形成一個研究和量產(chǎn)中心。

目前，全球最大的代工芯片制造商臺積電正在日本熊本縣建設芯片工廠，但該工廠將只生產(chǎn)從 10nm 到 20nm 范圍的不太先進的半導體。

工藝制程越先進的半導體可以進一步推動設備的小型化和改進性能。2nm芯片將用于數(shù)據(jù)中心和尖端智能手機等產(chǎn)品。這些芯片還降低了功耗，減少了碳足跡。此外，先進制程的芯片也能夠決定軍事硬件的性能，包括戰(zhàn)斗機和導彈。鑒于此，2nm 芯片與國家安全也直接相關(guān)。

今年5月初，日美簽署了半導體合作基本原則。雙方將在即將舉行的“二加二”內(nèi)閣經(jīng)濟官員會議上討論合作框架的細節(jié)。

日本內(nèi)閣上周批準的首相岸田文雄的“新資本主義”議程概述了通過與美國的雙邊公私合作在這十年中形成設計和制造基地 。日本希望本土的Tokyo Electron 和佳能等芯片制造設備制造商與 IBM、英特爾和臺積電一起參與了這一集體活動。

此外，日本還擁有信越化學和 Sumco 等強大的芯片材料制造商，而美國則擁有應用材料、泛林集團等芯片制造設備巨頭。芯片制造商和主要供應商之間的這種合作旨在使 2nm芯片的量產(chǎn)技術(shù)觸手可及。