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MOS管
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    IRFP460場效應(yīng)管的技術(shù)參數(shù)
  • IRFP460場效應(yīng)管的技術(shù)參數(shù)
  •   發(fā)布日期: 2018-09-16  瀏覽次數(shù): 8,138

    IRFP460基本信息:

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:270 毫歐 @ 12A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss):500V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:20A

    Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA

    閘電荷(Qg) @ Vgs:210nC @ 10V

    在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :4200pF @ 25V

    功率 - 最大:260W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-247AD
    更多詳細(xì)參數(shù)如下:


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