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MOS管
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  •   發(fā)布日期: 2018-09-14  瀏覽次數(shù): 4,870

    IR的HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管irf3205采用先進(jìn)的工藝技術(shù)制造,具有極低的導(dǎo)通阻抗。irf3205這種特性,加上快速的轉(zhuǎn)換速率,和以堅(jiān)固耐用著稱的HEXFET設(shè)計(jì),使得irf3205成為極其高效可靠、應(yīng)用范圍超廣的器件。

    基本參數(shù)

    電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V

    電壓, Vds 典型值:55V

    電流, Id 連續(xù):110A

    Qg Typ: 97.3 nC

    FET極性: N型溝道

    最大額定參數(shù)

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    熱阻特性

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    電氣特性

    場(chǎng)效應(yīng)管irf3205基本參數(shù)_irf3205電性參數(shù)

    場(chǎng)效應(yīng)管irf3205基本參數(shù)_irf3205電性參數(shù)
     

    1.反復(fù)級(jí)別:脈寬小于最大值。結(jié)點(diǎn)溫度為。(看 圖1)。

    2.開(kāi)始時(shí) TJ=25℃,L=138uH RG=25Ω,IAS=62A.(看圖2)。

    3.ISD≤62A,di/dt≤207A/us,VDD≤(BR)DSS,TJ≤℃。

    4.脈寬≤400us;duty cycle≤2%. ○

    5.適當(dāng)?shù)倪B續(xù)電流取決于允許結(jié)點(diǎn)溫度。包裝極限溫度為75A。

    6.在器件毀壞和表現(xiàn)出運(yùn)行外出點(diǎn)的操作極限的典型值。

    7.這個(gè)適當(dāng)?shù)臉O限值為TJ=175℃。 *當(dāng)裱裝在1″平方PCB(FR-4 or G-1- Material )。 被推薦的封裝和焊接技術(shù)涉及應(yīng)用技術(shù)筆記 #AN-994。

    場(chǎng)效應(yīng)管irf3205基本參數(shù)_irf3205電性參數(shù)

    圖1最大有效的熱敏阻抗,結(jié)點(diǎn)到器件

    場(chǎng)效應(yīng)管irf3205基本參數(shù)_irf3205電性參數(shù)

    圖2最大的雪崩能量Vs 漏極電流


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