? ? ?MOS管最重要的參數(shù)莫過(guò)于電流和電壓了，決定電流主要來(lái)自封裝和芯片內(nèi)阻Rds(on).下面從其中一個(gè)方面分析一下。

? ? ? MOSFET的最大載流能力受到2方面限制： 一方面是管芯限制，即silicon limit。由于通態(tài)電阻Rds(on)以及米勒電容引起的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，會(huì)帶來(lái)功率損耗power loss，這些損耗就以大量發(fā)熱的形式來(lái)釋放，如果熱量過(guò)高就會(huì)燒毀管芯。一般MOSFET的最高耐受結(jié)溫視各廠家工藝的差異為155°C或者175°C。 另一方面就是封裝限制，即package limit。我們知道封裝承載著PCB與管芯的連接，那么在管芯的載流能力高到一定程度的時(shí)候就會(huì)受到封裝中引線的限制——細(xì)細(xì)的銅絲在通過(guò)大電流時(shí)一樣會(huì)發(fā)熱，熔毀。不同的封裝，package limit各不相同，甚至由于內(nèi)連接技術(shù)的改進(jìn)，package limit也會(huì)有所改進(jìn)和優(yōu)化。早先的封裝中，管芯的各引腳均用細(xì)細(xì)的銅絲或者金絲引向封裝的引腳，這種內(nèi)連接工藝被成為wire-bone引線鍵合，因此package limit通常只有最高25A左右，不過(guò)所幸早年時(shí)MOSFET管芯的載流能力通常也不高。近十來(lái)年MOSFET技術(shù)飛速發(fā)展，Rds(on)已經(jīng)突破mΩ極限，這些高性能MOSFET通常都使用DFN或者LFPAK來(lái)封裝，通過(guò)廠家設(shè)計(jì)更大的clip-bond夾橋式內(nèi)連接工藝，使得MOSFET的package limit均提高到了100A。 當(dāng)然，廠家標(biāo)的silicon limit通常都是理論數(shù)值，大的驚人，某些MOSFET會(huì)標(biāo)到200多A，而受到熱降額的影響通常頂級(jí)MOSFET的實(shí)用最大載流能力是遠(yuǎn)達(dá)不到package limit的。表現(xiàn)在廠家標(biāo)識(shí)的Id-Tc降額曲線上，從坐標(biāo)原點(diǎn)0°C/0A開(kāi)始到遠(yuǎn)端，它是一條下降的曲線，然后在某電流值處畫有一條平行于x軸（結(jié)溫軸）虛線截?cái)嘀羪軸（電流軸），這就是package limit。如果這個(gè)廠家還算負(fù)責(zé)的話一般都會(huì)標(biāo)出來(lái)，比如歐美系、日系的大廠一般都會(huì)標(biāo)出來(lái)。 選型的時(shí)候要特別留意熱降額參數(shù)，通常廠家會(huì)在pdf上標(biāo)一個(gè)參考值，即Id=xx A(Ta=25°C，Vgs=xx V，f=xxx kHz，2oz的FR4板靜風(fēng)或者一定cfm風(fēng)量配置xx cm2面積的散熱片等)。注意Ta和Tc的不同，Ta是環(huán)境溫度，Tc是結(jié)溫，受到封裝熱阻的影響，靜風(fēng)測(cè)試條件下Tc=155°C或175°C是很容易達(dá)到的，pdf中標(biāo)的Tc=100°C條件根本不值一提。 選型完畢最好自己建立一個(gè)熱環(huán)境模型進(jìn)行測(cè)試，以確定該MOSFET是否滿足安全使用的要求。??