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MOS管
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    搞懂MOS管:MOS管的半導體結構
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  •   發(fā)布日期: 2021-08-15  瀏覽次數(shù): 4,987

    MOS 管作為半導體領域最基礎的器件之一,無論是在IC 設計里,還是板級電路應用上,都十分廣泛。

    目前尤其在大功率半導體領域,各種結構的 MOS 管更是發(fā)揮著不可替代的作用。作為一個基礎器件,往往集簡單與復雜與一身,簡單在于它的結構,復雜在于基于應用的深入考量。

     

    因此,作為硬件開發(fā)者,想在電路設計上進階,搞懂 MOS 管是必不可少的一步,今天來聊聊。

    一、 MOS管的半導體結構

    作為半導體器件,它的來源還是最原始的材料,摻雜半導體形成的 P 和 N 型物質(zhì)。

    那么,在半導體工藝里,如何制造 MOS 管的?

    這就是一個 NMOS 的結構簡圖,一個看起來很簡單的三端元器件。具體的制造過程就像搭建積木一樣,在一定的地基(襯底)上依據(jù)設計一步步“蓋”起來。

    MOS 管的符號描述為:

    二、 MOS管的工作機制

    以增強型 MOS 管為例,我們先簡單來看下 MOS 管的工作原理。

    由上圖結構我們可以看到 MOS 管類似三極管,也是背靠背的兩個PN結!三極管的原理是在偏置的情況下注入電流到很薄的基區(qū)通過電子-空穴復合來控制CE之間的導通,MOS 管則利用電場來在柵極形成載流子溝道來溝通DS之間。

    如上圖,在開啟電壓不足時,N區(qū)和襯底P之間因為載流子的自然復合會形成一個中性的耗盡區(qū)。

    給柵極提供正向電壓后,P區(qū)的少子(電子)會在電場的作用下聚集到柵極氧化硅下,最后會形成一個以電子為多子的區(qū)域,叫反型層,稱為反型因為是在P型襯底區(qū)形成了一個N型溝道區(qū)。這樣DS之間就導通了。

    下圖是一個簡單的MOS管開啟模擬:

    這是MOS管電流Id隨Vgs變化曲線,開啟電壓為1.65V。下圖是MOS管的IDS和VGS與VDS 之間的特性曲線圖,類似三極管。

    下面我們先從器件結構的角度看一下MOS管的開啟全過程。

    1、Vgs對MOS管的開啟作用

    一定范圍內(nèi) Vgs>Vth,Vds

    Vgs為常數(shù)時,Vds上升,Id近似線性上升,表現(xiàn)為一種電阻特性。

    Vds為常數(shù)時,Vgs上升,Id近似線性上升,表現(xiàn)出一種壓控電阻的特性。

    即曲線左邊

    2、Vds對MOS管溝道的控制

    當Vgs>Vth,Vds

    當Vds>Vgs-Vth后,我們可以看到因為DS之間的電場開始導致右側的溝道變窄,電阻變大。所以電流Id增加開始變緩慢。當Vds增大一定程度后,右溝道被完全夾斷了!

    此時DS之間的電壓都分布在靠近D端的夾斷耗盡區(qū),夾斷區(qū)的增大即溝道寬度W減小導致的電阻增大抵消了Vds對Id的正向作用,因此導致電流Id幾乎不再隨Vds增加而變化。此時的D端載流子是在強電場的作用下掃過耗盡區(qū)達到S端!

    這個區(qū)域為 MOS 管的恒流區(qū),也叫飽和區(qū),放大區(qū)。

    但是因為有溝道調(diào)制效應導致溝道長度 L 有變化,所以曲線稍微上翹一點。

    重點備注:MOS管與三極管的工作區(qū)定義差別

    三極管的飽和區(qū):輸出電流 Ic 不隨輸入電流 Ib 變化。

    MOS 管的飽和區(qū):輸出電流 Id 不隨輸出電壓 Vds 變化。

    3、擊穿

    Vgs 過大會導致柵極很薄的氧化層被擊穿損壞。

    Vds 過大會導致D和襯底之間的反向PN結雪崩擊穿,大電流直接流入襯底。

    三、 MOS管的開關過程分析

    如果要進一步了解MOS管的工作原理,剖析MOS管由截止到開啟的全過程,必須建立一個完整的電路結構模型,引入寄生參數(shù),如下圖。

    詳細開啟過程為:

    t0~t1階段:柵極電流對Cgs和Cgd充電,Vgs上升到開啟電壓Vgs(th),此間,MOS沒有開啟,無電流通過,即MOS管的截止區(qū)。在這個階段,顯然Vd電壓大于Vg,可以理解為電容 Cgd 上正下負。

    t1~t2階段:Vgs達到Vth后,MOS管開始逐漸開啟至滿載電流值Io,出現(xiàn)電流Ids,Ids與Vgs呈線性關系,這個階段是MOS管的可變電阻區(qū),或者叫線性區(qū)。

    t2~t3階段:在MOS完全開啟達到電流Io后,柵極電流被完全轉移到Ids中,導致Vgs保持不變,出現(xiàn)米勒平臺。在米勒平臺區(qū)域,處于MOS管的飽和區(qū),或者叫放大區(qū)。

    在這一區(qū)域內(nèi),因為米勒效應,等效輸入電容變?yōu)椋?+K)Cgd。

    米勒效應如何產(chǎn)生的:

    在放大區(qū)的 MOS管,米勒電容跨接在輸入和輸出之間,為負反饋作用。具體反饋過程為:Vgs增大>mos開啟后Vds開始下降>因為米勒電容反饋導致Vgs也會通過Cgd放電下降。這個時候,因為有外部柵極驅動電流,所以才會保持了Vgs不變,而Vds還在下降。

    t3~t4階段:渡過米勒平臺后,即Cgd反向充電達到Vgs,Vgs繼續(xù)升高至最終電壓,這個電壓值決定的是MOS管的開啟阻抗Ron大小。

    我們可以通過仿真看下具體過程:

    由上面的分析可以看出米勒平臺是有害的,造成開啟延時,不能快速進入可變電阻區(qū),導致?lián)p耗嚴重,但是這個效應又是無法避免的。

    目前減小 MOS 管米勒效應的幾種措施:

    a:提高驅動電壓或者減小驅動電阻,目的是增大驅動電流,快速充電。但是可能因為寄生電感帶來震蕩問題。

    b:ZVS 零電壓開關技術是可以消除米勒效應的,即在 Vds 為 0 時開啟溝道,在大功率應用時較多。

    c:柵極負電壓驅動,增加設計成本。

    d: 有源米勒鉗位。即在柵極增加三極管,關斷時拉低柵極電壓。

    四、 MOS管的驅動應用

    上面已經(jīng)詳細介紹了 MOS 管的工作機制,那么我們再來看 datasheet 這些參數(shù)就一目了然了。

    極限值參數(shù)代表應用時的最高范圍,功耗和散熱是高功率應用時的重點。

    功率應用中尤其考慮導通電阻、米勒電容等,高速應用中重點考慮寄生電容。

    漏電流的參數(shù)一般影響的是大規(guī)模集成芯片的功耗。

    反向恢復時間是一個重要參數(shù),它表示 MOS 管由開啟到截止的恢復時間,時間太長會極大影響速度和功耗。

    二極管

    在分立器件NMOS管中,S端一般襯底,所以導致DS之間有一個寄生二極管。

    但是在集成電路內(nèi)部,S端接低電位或者高電位,不一定接襯底,所以就不存在寄生二極管。

    寄生二極管具有保護 MOS 管的作用,導出瞬間反向的大電流。

    MOS 的驅動是應用設計的重點,接下來我們聊聊有哪些驅動方式和特點。

    4.1直接驅動

    驅動芯片直接輸出 PWM 波

    特點:驅動環(huán)路距離不能太遠,否則因為寄生電感降低開關速度和導致振鈴。另外,一般驅動器也難以提供很大的驅動電流。

    4.2推挽式驅動

    PWM 驅動通過推挽結構來驅動柵極

    特點:實現(xiàn)較小的驅動環(huán)路和更大的驅動電流,柵極電壓被鉗位在 Vb+Vbe 和 GND 與Vbe 之間。

    4.3柵極驅動加速電路

    并聯(lián)二極管可以分流,但是隨著電壓降低,二極管逐漸失去作用。

    4.4 PNP關斷電路

    特點:PNP 在關斷時形成短路放電,但是無法完全為 0,二極管 Don 可以鉗位防止三極管擊穿。

    五、小結

    以上大概詳細介紹了MOS管這一半導體基礎元器件的工作原理和應用,具體到工作中還需要的是實際測試和實驗,特別是不斷在一些應用中,尤其是應用問題中加深理解。這樣或許才能真正的把相關基礎知識融入到自己的能力中,游刃有余的解決技術問題。搞技術嘛,和做人一樣,從小處做,往高處看。


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