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  • 高可靠性GPP芯片制備方法與流程
    高可靠性GPP芯片制備方法與流程
  • 高可靠性GPP芯片制備方法與流程
  •   發(fā)布日期: 2020-09-24  瀏覽次數(shù): 3,767

    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種高可靠性玻璃鈍化(GPP)芯片制備方法。





    背景技術(shù):

    GPP(玻璃鈍化)芯片是目前高新技術(shù)的主流。GPP工藝分為三種工藝實(shí)現(xiàn)方法:①刀刮法②光阻法③電泳法,然而這三種方法均有優(yōu)缺點(diǎn),刀刮法成本低但漏電不均勻;光阻法參數(shù)一致性雖較好但成本較高;電泳法一次性投資大,環(huán)保成本高,廢棄物不易處理。

    目前對(duì)半導(dǎo)體表面鈍化的要求越來(lái)越高,GPP芯片應(yīng)具備:1、良好的電氣性能和可靠性,包括電阻率、介電強(qiáng)度、離子遷移率等,材料的引入不應(yīng)給器件帶來(lái)副作用;二是良好的化學(xué)穩(wěn)定性,具有一定的抗化學(xué)腐蝕能力;三是可操作性,工藝簡(jiǎn)單、重復(fù)性好,能與器件制造工藝相容,材料的膨脹系數(shù)要與硅材料相一致或接近;四是經(jīng)濟(jì)性,可大批量生產(chǎn),制造成本要低,有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,材料和工藝有強(qiáng)大的生命力和開(kāi)發(fā)潛力。然而現(xiàn)在市面上的方法制備的GPP芯片存在這樣那樣的問(wèn)題,不能滿足需要。
    技術(shù)特征:

    1.一種高可靠性GPP芯片制備方法,其特征在于,包括如下步驟:

    1)將擴(kuò)散好的PN結(jié)硅片上涂上光刻膠;

    2)采用HF:HNO3:HAC混合的腐蝕液進(jìn)行腐蝕溝槽;

    3)采用LPCVD生長(zhǎng)方式在溝槽內(nèi)進(jìn)行摻氧摻氮;

    4)刮涂玻璃粉,燒結(jié)玻璃;

    5)在步驟4)燒結(jié)后采用PECVD生長(zhǎng)軟Si3N4;

    6)進(jìn)行二次光刻并鍍Ni,然后鍍Ni-Si合金,鍍完Ni-Si合金后再次鍍Ni;

    7)測(cè)試;

    8)背面激光劃片。

    2.如權(quán)利要求1所述的高可靠性GPP芯片制備方法,其特征在于,所述步驟2)中HF:HNO3:HAC的體積比為0.8~1.2:0.8~1.2:1.8~2.2,所述HF、HNO3、HAC的質(zhì)量分?jǐn)?shù)濃度分別為40~45%、83~93%、33~45%。

    3.如權(quán)利要求1所述的高可靠性GPP芯片制備方法,其特征在于,所述步驟3)采用LPCVD生長(zhǎng)方式在溝槽內(nèi)進(jìn)行摻氧摻氮的條件為650℃~750℃,

    4.如權(quán)利要求1所述的高可靠性GPP芯片制備方法,其特征在于,所述步驟4)在820℃~850℃,N2+O2條件下進(jìn)行燒結(jié)玻璃。

    5.如權(quán)利要求1所述的高可靠性GPP芯片制備方法,其特征在于,所述步驟5)PECVD的工作條件為380℃~420℃,

    6.如權(quán)利要求1所述的高可靠性GPP芯片制備方法,其特征在于,所述步驟6)中在580~620℃、N2+H2條件下鍍Ni-Si合金。


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