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  • 淺談RCD電路的影響
    淺談RCD電路的影響
  • 淺談RCD電路的影響
  •   發(fā)布日期: 2020-03-24  瀏覽次數(shù): 1,456

    上篇博文主要分析未進行保護的反激電源開關(guān)過程分析,這回主要介紹RCD電路的影響。

     

    先分析過程:

    對應(yīng)電路模型:

    我們可以定性的分析一下電路參數(shù)的選擇對電路的暫態(tài)響應(yīng)的影響:

    1.RCD電容C偏大

    電容端電壓上升很慢,因此導(dǎo)致mos 管電壓上升較慢,導(dǎo)致mos管關(guān)斷至次級導(dǎo)通的間隔時間過長,變壓器能量傳遞過程較慢,相當一部分初級勵磁電感能量消耗在RC電路上 。

    波形分析為:

    2.RCD電容C特別大(導(dǎo)致電壓無法上升至次級反射電壓)

    電容電壓很小,電壓峰值小于次級的反射電壓,因此次級不能導(dǎo)通,導(dǎo)致初級能量全部消耗在RCD電路中的電阻上,因此次級電壓下降后達成新的平衡,理論計算無效了,輸出電壓降低。

    3.RCD電阻電容乘積R×C偏小

    電壓上沖后,電容上儲存的能量很小,因此電壓很快下降至次級反射電壓,電阻將消耗初級勵磁電感能量,直至mos管開通后,電阻才緩慢釋放電容能量,由于RC較小,因此可能出現(xiàn)震蕩,就像沒有加RCD電路一樣。

    4.RCD電阻電容乘積R×C合理,C偏小

    如果參數(shù)選擇合理,mos管開通前,電容上的電壓接近次級反射電壓,此時電容能量泄放完畢,缺點是此時電壓尖峰比較高,電容和mos管應(yīng)力都很大

    5.RCD電阻電容乘積R×C合理,R,C都合適

    在上面的情況下,加大電容,可以降低電壓峰值,調(diào)節(jié)電阻后,使mos管開通之前,電容始終在釋放能量,與上面的最大不同,還是在于讓電容始終存有一定的能量。

    以上均為定性分析,實際計算還是單獨探討后整理,需要做仿真驗證。


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