131 1300 0010
1 Msp430Flash型單片機(jī)內(nèi)部Flash存儲(chǔ)器介紹
MSP430的Flash存儲(chǔ)器是可位、字節(jié)、字尋址和編程的存儲(chǔ)器。該模塊由一個(gè)集成控制器來控制編程和擦除的操作?？刂破靼ㄈ齻€(gè)寄存器，一個(gè)時(shí)序發(fā)生器及一個(gè)提供編程、擦除電壓的電壓發(fā)生器。
Msp430的Flash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)有：
1）產(chǎn)生內(nèi)部編程電壓
2）可位、字節(jié)、字編程，可以單個(gè)操作，也可以連續(xù)多個(gè)操作
3）超低功耗操作
4）支持段擦除和多段模塊擦除
2 Flash存儲(chǔ)器的分割
Msp430 Flash存儲(chǔ)器分成多個(gè)段。可對(duì)其進(jìn)行單個(gè)字節(jié)、字的寫入，也可以進(jìn)行連續(xù)多個(gè)字、字節(jié)的寫入操作，但是最小的擦除單位是段。
Flash存儲(chǔ)器被分割成兩部分：主存儲(chǔ)器和信息存儲(chǔ)器，兩者在操作上沒有什么區(qū)別。兩部分的區(qū)別在于段的大小和物理地址的不同。
以Msp430F149為例，信息存儲(chǔ)器有兩個(gè)128字節(jié)的段，即segmentA和segmentB，主存儲(chǔ)器有多個(gè)512字節(jié)的段。Msp430F149內(nèi)部Flash的地址為0x1000H~0xFFFFH，計(jì)60K。信息段SegA的起始地址為0x1080H，信息段SegB的起始地址為0x1000H。
3 Flash存儲(chǔ)器的操作
在默認(rèn)狀態(tài)下，處于讀操作模式。在讀操作模式中，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器不能被擦除和寫入，時(shí)序發(fā)生器和電壓發(fā)生被關(guān)閉，存儲(chǔ)器操作指向ROM區(qū)。
Msp430 Flash存儲(chǔ)器在系統(tǒng)編程ISP（in-system programmable）不需要額外的外部電壓。CPU能夠?qū)lash直接編程。Flash存儲(chǔ)器的寫入/擦除通過BLKWRT、WRT、MERAS、ERASE等位確定。
3.1擦除
Flash存儲(chǔ)器各位的缺省值為1，每一位都可以單獨(dú)編程為0，但只有擦除操作才能將其恢復(fù)為1。擦除操作的最小單位是段。通過erase和meras位設(shè)置可選擇3種擦除模式。
MERAS
ERASE
擦除模式
0
1
段擦除
1
0
多段擦除（所有主存儲(chǔ)器的段）
1
1
整體擦除（LOCKA=0時(shí)，擦除所有主存儲(chǔ)器和信息存儲(chǔ)器的段；主存儲(chǔ)器的段只有當(dāng)LOCKA=0時(shí)可以擦除）
擦除操作開始于對(duì)擦除的地址范圍內(nèi)的任意位置執(zhí)行一次空寫入?？諏懭氲哪康氖菃?dòng)時(shí)序發(fā)生器和擦除操作。在空寫入操作之后，BUSY位自動(dòng)置位，并保持到擦除周期結(jié)束。BUSY、MERAS、ERASE在擦除周期結(jié)束后自動(dòng)復(fù)位。
3.2寫入
寫入模式由WRT和BLKWRT位進(jìn)行設(shè)置。
BLKWRT（塊寫入模式選擇）
WRT（寫模式選擇位）
寫入模式
0
1
單字節(jié)、單字寫入
1
1
塊寫入
所有的寫入模式使用一系列特有的寫入命令，采用塊寫入的速度大約是單個(gè)寫入的2倍，因?yàn)殡妷喊l(fā)生器在塊寫入完成器件均能保持。對(duì)于這兩種寫入模式，任何能修改目的操作數(shù)的指令均能用于修改地址。一個(gè)Flash字不能再擦除器件進(jìn)行兩次以上的寫入。
當(dāng)啟動(dòng)寫入操作時(shí)，BUSY置位，寫入結(jié)束時(shí)復(fù)位。
4操作編程
4.1 Flash擦除
對(duì)Flash要寫入數(shù)據(jù)，必須先擦除相應(yīng)的段，且對(duì)Flash存儲(chǔ)器的擦除必須是整段進(jìn)行的，可以一段一段擦，也可以多段一起擦除。擦除操作的順序如下：
1）選擇適當(dāng)?shù)?u>時(shí)鐘源和分頻因子；
2）清除LOCK位
3）判斷BUSY位，只有當(dāng)BUSY=0時(shí)才可以執(zhí)行下一步
4）使能段操作，設(shè)置ERASE、MERAS位等（如果是擦除一段，則ERASE=1，如果擦除多段，則MERAS=1，如果擦除整個(gè)Flash，則ERASE=1，MERAS=1）
5）對(duì)擦除的地址范圍內(nèi)的任意位置作一次空寫入，以啟動(dòng)擦除操作
6）在擦除周期內(nèi)，時(shí)鐘源始終有效，不修改分頻因子
7）操作完成后，置位LOCK
根據(jù)上述操作順序，編寫程序代碼如下：
void FlashErase（unsigned int adr）
{
uchar *p0;
FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//選擇時(shí)鐘源，分頻
FCTL3 = FWKEY;//清除LOCK
while（FCTL3 & BUSY）;//如果出于忙，則等待
FCTL1 = FWKEY + ERASE;//使能段操作
p0 = （unsigned char *）adr;//數(shù)值強(qiáng)制轉(zhuǎn)換成指針
*p0 = 0;//向段內(nèi)任意地址寫0，即空寫入，啟動(dòng)擦除操作
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;
while（FCTL3 & BUSY）;
}
4.2寫入
對(duì)Flash的寫入數(shù)據(jù)可以是單字、單字節(jié)，也可以是連續(xù)多個(gè)字或字節(jié)（即塊操作）。編程寫入操作的順序如下：
1）選擇適當(dāng)?shù)臅r(shí)鐘源和分頻因子；
2）清除LOCK位
3）判斷BUSY位，只有當(dāng)BUSY=0時(shí)才可以執(zhí)行下一步操作
4）使能寫入功能，設(shè)置WRT、BLKWRT（如果寫入單字或單字節(jié)則WRT=1，如果是塊寫入，或者是多字、多字節(jié)連續(xù)寫入則WRT=1，BLKWRT=1）；
5）判斷BUSY位，只有當(dāng)BUSY=0時(shí)才可以執(zhí)行下一步操作
6）寫入數(shù)據(jù)
7）判忙，完了之后清除WRT，置位LOCK
根據(jù)上述操作順序，編寫程序代碼如下：
//write single byte
//Adr為要編程的地址，沒有奇偶地址要求、DataB為要編程的字節(jié)數(shù)據(jù)
void FlashWB（unsigned char Adr，unsigned char DataB）
{
FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK16*FN4 + 8*FN3
FCTL3 = FWKEY;
FCTL1 = FWKEY + WRT;
while（FCTL3 & BUSY）;
*（（unsigned int *）Adr）=DataB;//數(shù)值強(qiáng)制轉(zhuǎn)換成指針，指向地址數(shù)據(jù)Adr所表示的內(nèi)存單元
//將數(shù)據(jù)字DataW賦值給內(nèi)存單元
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;
while（FCTL3 & BUSY）;
}
//write single word
//Adr為要編程的地址，應(yīng)該是偶地址、DataW為要編程的字?jǐn)?shù)據(jù)
void FlashWW（unsigned int Adr，unsigned int DataW）
{
FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK16*FN4 + 8*FN3
FCTL3 = FWKEY;
FCTL1 = FWKEY + WRT;
while（FCTL3 & BUSY）;
*（（unsigned int *）Adr）=DataW;//數(shù)值強(qiáng)制轉(zhuǎn)換成指針，指向地址數(shù)據(jù)Adr所表示的內(nèi)存單元
//將數(shù)據(jù)字DataW賦值給內(nèi)存單元
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;
while（FCTL3 & BUSY）;
}
/*************************************************
//向FLASH信息區(qū)寫入指定數(shù)量的字節(jié)數(shù)據(jù)
//unsigned char *pc_byte信息區(qū)數(shù)據(jù)指針
//unsigned char *Datain ：讀出數(shù)據(jù)存放數(shù)據(jù)數(shù)組，8位長(zhǎng)
//unsigned char count ：讀操的數(shù)量，范圍0-127
**************************************************/
void FlashWrite（uchar *pc_byte，uchar *Datain，uint count）
{
FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK16*FN4 + 8*FN3
FCTL3 = FWKEY;
FCTL1 = FWKEY + WRT;
while（FCTL3 & BUSY）;//如果處于忙狀態(tài)，則等待
while（count--）
{
while（FCTL3 & BUSY）;
*pc_byte++ = *Datain++;
}
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;
while（FCTL3 & BUSY）;
}
注意：在對(duì)字寫入和字節(jié)寫入的時(shí)候，用于指向信息區(qū)數(shù)據(jù)指針類型的區(qū)別，字寫入時(shí)候?yàn)?（（unsigned int *）Adr），字節(jié)寫入時(shí)候?yàn)?（（unsigned char *）Adr）。
4.3讀取
根據(jù)查看的書籍資料和網(wǎng)絡(luò)資料得出，內(nèi)部Flash的讀取操作沒有順序的要求，一般Flash默認(rèn)的操作方式即為讀模式。讀取Flash的程序代碼如下：
/*************************************************
//向FLASH信息區(qū)讀出指定數(shù)量的字節(jié)數(shù)據(jù)
//unsigned char *pc_byte信息區(qū)數(shù)據(jù)指針
//unsigned char *Dataout ：讀出數(shù)據(jù)存放數(shù)據(jù)數(shù)組，8位長(zhǎng)
//unsigned char count ：讀操的數(shù)量，范圍0-127
**************************************************/
void FlashRead（uchar *pc_byte，uchar *Dataout，uint count）
{
while（count--）
{
*Dataout = *pc_byte;
Dataout++;
pc_byte++;
}
}
在網(wǎng)上查找資料的時(shí)候，好像看到過有位網(wǎng)友的博客說，內(nèi)部Flash的地址是自動(dòng)加1的，按照他的理解，函數(shù)中pc_byte++語(yǔ)句就沒有用處了，可是事實(shí)不然，我在調(diào)試過程中，發(fā)現(xiàn)并不能自動(dòng)加1，pc_byte++語(yǔ)句還是有必要的。調(diào)用上述函數(shù)，可以通過這樣的方式FlashRead（（uchar *）0x1000，a，4）；即從0x1080地址處開始，連續(xù)讀取4個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)，送給數(shù)組a。
5小結(jié)
對(duì)Msp430片內(nèi)Flash的操作是通過對(duì)3個(gè)控制字中的相應(yīng)位來完成的，只有控制位的正確組合，才能實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的功能。
同時(shí)在編程中注意靈活使用數(shù)組和指針，以及指向數(shù)組的指針等，可以達(dá)到靈活編程的目的，不過本文中給出的幾個(gè)程序段，基本上能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)Msp430 Flash的擦除、寫入等操作。
