場(chǎng)效應(yīng)管作用的特點(diǎn)及工作原理

場(chǎng)效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電，用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管JFET和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三極管IGFET之分。IGFET也稱(chēng)金屬-氧化物-半導(dǎo)體三極管MOSFET。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管有加強(qiáng)型（EnhancementMOS或EMOS）和耗盡型（MOS或DMOS）兩大類(lèi)，每一類(lèi)有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電類(lèi)型。場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)電極：D（Drain）稱(chēng)為漏極，相當(dāng)雙極型三極管的集電極；G（Gate）稱(chēng)為柵極，相當(dāng)于雙極型三極管的基極；S（Source）稱(chēng)為源極，相當(dāng)于雙極型三極管的發(fā)射極。

加強(qiáng)型MOS（EMOS）場(chǎng)效應(yīng)管道加強(qiáng)型MOSFET根本上是一種左右對(duì)稱(chēng)的拓?fù)錁?gòu)造，它是在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2薄膜絕緣層，然后用光刻工藝擴(kuò)散兩個(gè)高摻雜的N型區(qū)，從N型區(qū)引出電極，一個(gè)是漏極D，一個(gè)是源極S。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。P型半導(dǎo)體稱(chēng)為襯底（substrat），用符號(hào)B表示。

工作原理

1．溝道構(gòu)成原理當(dāng)Vgs=0V時(shí)，漏源之間相當(dāng)兩個(gè)背靠背的二極管，在D、S之間加上電壓，不會(huì)在D、S間構(gòu)成電流。

當(dāng)柵極加有電壓時(shí)，若0＜Vgs＜Vgs（th）時(shí)（VGS（th）稱(chēng)為開(kāi)啟電壓），經(jīng)過(guò)柵極和襯底間的電容作用，將靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體中的空穴向下方排擠，呈現(xiàn)了一薄層負(fù)離子的耗盡層。耗盡層中的少子將向表層運(yùn)動(dòng)，但數(shù)量有限，缺乏以構(gòu)成溝道，所以依然缺乏以構(gòu)成漏極電流ID。

進(jìn)一步增加Vgs，當(dāng)Vgs＞Vgs（th）時(shí)，由于此時(shí)的柵極電壓曾經(jīng)比擬強(qiáng)，在靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體表層中匯集較多的電子，能夠構(gòu)成溝道，將漏極和源極溝通。假如此時(shí)加有漏源電壓，就能夠構(gòu)成漏極電流ID。在柵極下方構(gòu)成的導(dǎo)電溝道中的電子，因與P型半導(dǎo)體的載流子空穴極性相反，故稱(chēng)為反型層（inversionlayer）。隨著Vgs的繼續(xù)增加，ID將不時(shí)增加。

在Vgs=0V時(shí)ID=0，只要當(dāng)Vgs＞Vgs（th）后才會(huì)呈現(xiàn)漏極電流，這種MOS管稱(chēng)為加強(qiáng)型MOS管。

VGS對(duì)漏極電流的控制關(guān)系可用iD=f（vGS）|VDS=const這一曲線(xiàn)描繪，稱(chēng)為轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)，見(jiàn)圖。

轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)斜率gm的大小反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制造用。gm的量綱為mA/V，所以gm也稱(chēng)為跨導(dǎo)。

跨導(dǎo)的定義式如下：gm=△ID/△VGS|（單位mS）

2．Vds對(duì)溝道導(dǎo)電才能的控制

當(dāng)Vgs＞Vgs（th），且固定為某一值時(shí)，來(lái)剖析漏源電壓Vds對(duì)漏極電流ID的影響。Vds的不同變化對(duì)溝道的影響如圖所示。

依據(jù)此圖能夠有如下關(guān)系：

VDS=VDG＋VGS=—VGD＋VGSVGD=VGS—VDS

當(dāng)VDS為0或較小時(shí)，相當(dāng)VGD＞VGS（th），溝道呈斜線(xiàn)散布。在緊靠漏極處，溝道到達(dá)開(kāi)啟的水平以上，漏源之間有電流經(jīng)過(guò)。

當(dāng)VDS增加到使VGD=VGS（th）時(shí)，相當(dāng)于VDS增加使漏極處溝道縮減到剛剛開(kāi)啟的狀況，稱(chēng)為預(yù)夾斷，此時(shí)的漏極電流ID根本飽和。

當(dāng)VDS增加到VGD

當(dāng)VGS＞VGS（th），且固定為某一值時(shí)，VDS對(duì)ID的影響，即iD=f（vDS）|VGS=const這一關(guān)系曲線(xiàn)如圖02.16所示。

場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重的原因

1、電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題，就是讓MOS管工作在線(xiàn)性的工作狀態(tài)，而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的最忌諱的錯(cuò)誤；

2、頻率太高，主要是有時(shí)過(guò)分追求體積，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了；

3、沒(méi)有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)，電流太高，MOS管標(biāo)稱(chēng)的電流值，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于最大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片；

4、MOS管的選型有誤，對(duì)功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒(méi)有充分考慮，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)阻抗增大。