131 1300 0010
MOS管
當(dāng)前位置: 首頁>> 元件技術(shù)>>MOS管>>
  • 導(dǎo)航欄目
  • 二極管
  • 整流橋
  • MOS管
  • 其他
  • 淺析功率型MOS管電路設(shè)計(jì)的詳細(xì)應(yīng)用
    淺析功率型MOS管電路設(shè)計(jì)的詳細(xì)應(yīng)用
  • 淺析功率型MOS管電路設(shè)計(jì)的詳細(xì)應(yīng)用
  •   發(fā)布日期: 2018-12-10  瀏覽次數(shù): 1,613

      以下有場效應(yīng)管短路保護(hù)視頻。功率場效應(yīng)管自身擁有眾多優(yōu)點(diǎn),但是MOS管具有較脆弱的承受短時(shí)過載能力,特別是在高頻的應(yīng)用場合,所以在應(yīng)用功率MOSFET對必須為其設(shè)計(jì)合理的保護(hù)電路來提高器件的可靠性。功率MOS管保護(hù)電路主要有以下幾個(gè)方面:

     



      1)防止柵極di/dt過高:由于采用驅(qū)動(dòng)芯片,其輸出阻抗較低,直接驅(qū)動(dòng)功率管會(huì)引起驅(qū)動(dòng)的功率管快速的開通和關(guān)斷,有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩,或者有可能造成功率管遭受過高的di/dt而引起誤導(dǎo)通。為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生,通常在MOS驅(qū)動(dòng)器的輸出與MOS管的柵極之間串聯(lián)一個(gè)電阻,電阻的大小一般選取幾十歐姆。




     



      2)防止柵源極間過電壓,由于柵極與源極的阻抗很高,漏極與源極間的電壓突變會(huì)通過極間電容耦合到柵極而產(chǎn)生相當(dāng)高的柵源尖峰電壓,此電壓會(huì)使很薄的柵源氧化層擊穿,同時(shí)柵極很容易積累電荷也會(huì)使柵源氧化層擊穿,所以要在MOS管柵極并聯(lián)穩(wěn)壓管以限制柵極電壓在穩(wěn)壓管穩(wěn)壓值以下,保護(hù)MOS管不被擊穿,MOS管柵極并聯(lián)電阻是為了釋放柵極電荷,不讓電荷積累。




     



      3)防護(hù)漏源極之間過電壓,雖然漏源擊穿電壓VDS一般都很大,但如果漏源極不加保護(hù)電路,同樣有可能因?yàn)槠骷_關(guān)瞬間電流的突變而產(chǎn)生漏極尖峰電壓,進(jìn)而損壞MOS管,功率管開關(guān)速度越快,產(chǎn)生的過電壓也就越高。為了防止器件損壞,通常采用齊納二極管鉗位和RC緩沖電路等保護(hù)措施。

     







      當(dāng)電流過大或者發(fā)生短路時(shí),功率MOSFET漏極與源極之間的電流會(huì)迅速增加并超過額定值,必須在過流極限值所規(guī)定的時(shí)間內(nèi)關(guān)斷功率MOSFET,否則器件將被燒壞,因此在主回路增加電流采樣保護(hù)電路,當(dāng)電流到達(dá)一定值,通過保護(hù)電路關(guān)閉驅(qū)動(dòng)電路來保護(hù)MOSFET管。圖1是MOSFET管的保護(hù)電路,由此可以清楚的看出保護(hù)電路的功能。


  • ·上一篇:
    ·下一篇:
  • 其他關(guān)聯(lián)資訊
    深圳市日月辰科技有限公司
    地址:深圳市寶安區(qū)松崗鎮(zhèn)潭頭第二工業(yè)城A區(qū)27棟3樓
    電話:0755-2955 6626
    傳真:0755-2978 1585
    手機(jī):131 1300 0010
    郵箱:hu@szryc.com

    深圳市日月辰科技有限公司 版權(quán)所有:Copyright?2010-2023 m.elibeatofitness.com 電話:13113000010 粵ICP備2021111333號(hào)