隨著市場對高功率高電壓材料的需求增長,全球第三代半導體材料開始備受關注。第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力,更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大 功率器件 。目前很多國家(也包括中國)都把發(fā)展第三代半導體材料及其相關器件等列為半導體重要新興技術領域,投入巨資支持發(fā)展。
近日,全球知名的半導體廠商英飛凌科技股份公司推出了氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN™ 600 V增強型HEMT和氮化鎵開關管專用驅動IC(GaN EiceDRIVER™ IC)。據悉,英飛凌產品的優(yōu)越性包括:它們具備更高功率密度,可實現更加小巧、輕便的設計,從而降低系統總成本和運行成本,以及減少資本支出。
CoolGaN擁有行業(yè)領先的可靠性
隨著CoolGaN 600 V增強型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅動IC的推出,目前,英飛凌是市場上唯一一家提供涵蓋硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的全系列功率產品的公司。最新發(fā)布的CoolGaN 600 V增強型HEMT采用可靠的常閉概念,它經專門優(yōu)化,可實現快速開通和關斷。它們可在開關模式電源(SMPS)中實現高能效和高功率密度,其優(yōu)值系數(FOM)在當前市場上的所有600 V器件中首屈一指。
CoolGaN開關的柵極電荷極低,且具有極少輸出電容,可在反向導通狀態(tài)下提供優(yōu)異的動態(tài)性能,進而大幅提高工作頻率,從而通過縮小被動元器件的總體尺寸,提高功率密度。 英飛凌CoolGaN 600 V增強型HEMT在功率因數校正(PFC)變流器里具有超高的能效(2.5 kW PFC能效 > 99.3%)。相同能效下的功率密度可達到160 W /in3(3.6 kW LLC能效 > 98%)。在諧振拓撲中,CoolGaN線性輸出電容可將死區(qū)時間縮短至八分之一到十分之一。
據悉,CoolGaN擁有行業(yè)領先的可靠性。在質量控制過程中,我們不僅對器件本身進行全面測試,而且對其在應用環(huán)境中的性能進行全面測試。這確保了CoolGaN開關滿足甚至優(yōu)于最高質量標準。CoolGaN 600 V增強型HEMT可提供70 m?和190 m?的SMD封裝,確保杰出的散熱性能和低寄生效應。通過提供全系列SMD封裝產品,英飛凌旨在支持高頻運行的應用,如企業(yè)級超大規(guī)模數據中心服務器、通信整流器、適配器、充電器、SMPS和無線充電設施等。氮化鎵開關管專用驅動IC(GaN EiceDRIVER IC)。
同步推出 GaN EiceDRIVER柵極驅動IC
英飛凌新推出的氮化鎵開關管 驅動芯片 EiceDRIVERIC——1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H——是CoolGaN增強型HEMT的完美搭檔。它們經專門研發(fā),以確保CoolGaN開關實現強健且高效的運行,同時最大限度地減少工程師研發(fā)工作量,加快將產品推向市場。
不同于傳統功率MOSFET的柵極驅動IC,這個針對英飛凌CoolGaN量身定制的柵極驅動IC可提供負輸出電壓,以快速關斷氮化鎵開關。在開關應處于關閉狀態(tài)的整個持續(xù)時間內,GaNEiceDRIVER IC可以使柵極電壓穩(wěn)定保持為零。這可保護氮化鎵開關不受噪音導致誤接通的影響,哪怕是首脈沖,這對于SMPS實現強健運行至關重要 。
氮化鎵柵極驅動IC可實現恒定的GaNHEMT開關轉換速率,幾乎不受工作循環(huán)或開關速度影響 。這可確保運行穩(wěn)健性和很高能效,大大縮短研發(fā)周期 。它集成了電隔離 ,可在硬開關和軟開關應用中實現強健運行,還可在SMPS一次側和二次側之間提供保護,并可根據需要在功率級與邏輯級之間提供保護。據了解, GaN EiceDRIVER 1EDF5673K采用13引腳LGA 5x5 mm封裝,1EDF5673F采用16引腳DSO 150 mil封裝,1EDS5663H采用16引腳DSO 300 mil封裝。供貨全新CoolGaN 600 V增強型HEMT現已開始供貨,硅基GaN EiceDRIVER IC可供預訂 。