MOS管因為其導通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管，其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。

一、電源IC直接驅(qū)動

電源IC直接驅(qū)動是最簡單的驅(qū)動方式，應該注意幾個參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。 ? ①查看電源IC手冊的最大驅(qū)動峰值電流，因為不同芯片，驅(qū)動能力很多時候是不一樣的。 ②了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大，MOS管導通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒有比較大的驅(qū)動峰值電流，那么管子導通的速度就比較慢，就達不到想要的效果。 ?

二、推挽驅(qū)動

這種驅(qū)動方式使用兩個互補的MOSFET，一個用于拉高柵極電壓（開啟MOSFET），另一個用于拉低柵極電壓（關(guān)閉MOSFET）。這種方式可以實現(xiàn)非?？斓拈_關(guān)速度，但需要更復雜的驅(qū)動電路。

當電源IC驅(qū)動能力不足時，可用推挽驅(qū)動。 ? 這種驅(qū)動電路好處是提升電流提供能力，迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓撲增加了導通所需要的時間，但是減少了關(guān)斷時間，開關(guān)管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。

? 三、加速關(guān)斷驅(qū)動

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MOS管一般都是慢開快關(guān)。在關(guān)斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。 為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅(qū)動電阻上并聯(lián)一個電阻和一個二極管，如上圖所示，其中D1常用的是快恢復二極管。這使關(guān)斷時間減小，同時減小關(guān)斷時的損耗。Rg2是防止關(guān)斷的時電流過大，把電源IC給燒掉。

如上圖，是我之前用的一個電路，量產(chǎn)至少上萬臺，推薦使用。 用三極管來泄放柵源極間電容電壓是比較常見的。如果Q1的發(fā)射極沒有電阻，當PNP三極管導通時，柵源極間電容短接，達到最短時間內(nèi)把電荷放完，最大限度減小關(guān)斷時的交叉損耗。 ? 還有一個好處，就是柵源極間電容上的電荷泄放時電流不經(jīng)過電源IC，提高了可靠性。 ?

四、隔離驅(qū)動

在需要電氣隔離的應用中，可以使用光耦來驅(qū)動MOSFET。光耦可以將輸入信號轉(zhuǎn)換為光信號，然后再轉(zhuǎn)換回電信號，從而實現(xiàn)電氣隔離。這種方式可以提高系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。

為了滿足高端MOS管的驅(qū)動，經(jīng)常會采用變壓器驅(qū)動。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩，C1的目的是隔開直流，通過交流，同時也能防止磁芯飽和。